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萌无研究成果以题为HighCurieTemperatureFerromagnetismandHighHoleMobilityinTensileStrainedMn-DopedSiGeThinFilms发布在国际著名期刊Adv.Funct.Mater.上。人车人车（b）在不同温度下AM2的M-H曲线。

退役也（g）Mn浓度对晶格常数的影响。【成果简介】近日，司无四川大学的向钢教授（通讯作者）团队、司无汪渊教授团队以及兰州大学彭勇教授团队合作，报道了基于第IV族半导体硅锗合金的磁性半导体的研究工作。理论研究预言，蠢代表的变拉伸应变可使得SiGe的重/轻空穴在价带顶部分离，增加其空穴迁移率。

（c）AM1、萌无AM2和AM3的居里温度（TC）和饱和磁矩（MS）。退火后的样品铁磁性居里温度高达280K，人车人车其铁磁性源自Si0.25Ge0.75晶格中的Mn掺杂替代，并因拉伸应变而得到增强。

（b）在不同温度下，退役也AM2的霍尔电阻和MR的磁场强度依赖性。

（c）AM1、司无AM2和AM3空穴迁移率的温度依赖性。相关领域共发表学术论文90余篇，蠢代表的变SCI收录70余篇（近5年论文50余篇，其中一区论文17篇。

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退役也相关工作得到国家自然科学基金（61675147,61605141,61735010,91838301）国家重点研发项目（2017YFA0700202）和深圳市基础研究项目（JCYJ20170412154447469）等项目的资助。这项工作表明，司无LSG/CsPbBr3器件是室温下构建高性能、司无柔性、自驱动超宽带探测器有潜力的候选材料，为未来自驱动柔性的超宽带、高灵敏度新型光电探测器研究提供理论基础和技术支撑。